IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
陈！！！ 18.06.05.03.85.3
7MB2335-3CR10-3AA1-ZA31
7MB2337
7MB2337-0AK00-3CQ1(CO:0-2000-10000PPM/CO2:0-10-50%)
7MB2337-0NG10-3PG1
7MB2337-0NH00-3PH1+O2
7MB2337-0NH10-3PH1
7MB2337-0PH00-3PHO
7MB2337-1AL00-3CM1
7MB2337-1NH00-3PW1
7MB2337-4AD10-3PE1
7MB2337-ONH10-3PH1
7MB2338
7MB2521-0AX07-1AA1-ZA31-A32
7MB2521-1AA01-1AA1
7MF4033-1FA00-2AB6-Z/A01+B11
7MF4433-1BA02-2BA1-Z/A01
7MF4433-1CA02-1AA6
7MF4433-1FA02-2BA6-Z/B11
7MF4433-3DA22-1AB7-Z/Y02